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NECエレクトロニクスは,特定用途向け半導体(ASIC)事業強化の一環として,40nmの微細プロセスを採用したセルベースIC「CB-40」を製品化し,受注活動を開始した。今回同社が受注活動を開始した新製品は,(1)同社従来製品である55nmプロセスのセルベースIC「CB-55L」の2倍となる最大512メガビットもの大容量DRAMマクロ(以下eDRAM)を1チップ上に集積していること,(2)同社従来品と比べ消費電力をゲート当り30〜40%低減できること,(3)同社従来品の2倍となるロジック回路を集積できること,(4)待機時の低消費電力化に優れた「CB-40L」及び動作時の低… |
