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MTを開発Tokyo,Oct10,2008 - (JCNNewswire) - 富士通株式会社(TSE:6702)と株式会社富士通研究所(注1)(以下、富士通研究所)は、今後の利用拡大が予想されるマイクロ波帯(注2)〜ミリ波帯(注3)の送信用増幅器に適した新構造の窒化ガリウム(注4)高電子移動度トランジスタ(HEMT)(注5)の開発に成功しました。今回開発した技術は、待機時の通電の遮断と100ワット(以下、W)を超える高出力性能を両立する素子の新構造を、世界で初めて開発したものです。マイクロ波帯〜ミリ波帯の高速無線通信における、送信用増幅器の大幅な省電力化と高出力化に… |
