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富士通と富士通研究所(以下,富士通研究所)は,今後の利用拡大が予想されるマイクロ波帯〜ミリ波帯の送信用増幅器に適した新構造の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ(HEMT)の開発に成功した。今回開発した技術は,待機時の通電の遮断と100Wを超える高出力性能を両立する素子の新構造を,世界で初めて開発した。マイクロ波帯〜ミリ波帯の高速無線通信における,送信用増幅器の大幅な省電力化と高出力化に貢献する。今回開発した三層キャップ構造により,マイナスの電圧をゲート電極に加えなくても,待機時に通電を遮断できる窒化ガリウムHEMT… |
